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SK 海力士的首款 238 层内存拥有 50% 更快的 SSD 速度

导读 SK Hynix 可以凭借其最新的 238 层 4D NAND 闪存宣布成为日常英雄。为什么?因为它承诺将闪存新闪存直接用于我们家用设备的消费级 S

SK Hynix 可以凭借其最新的 238 层 4D NAND 闪存宣布成为日常英雄。为什么?因为它承诺将闪存新闪存直接用于我们家用设备的消费级 SSD。

另一方面,竞争对手美光最近宣布其自己的新 232 层内存将仅限于企业机器推出。基本上,普通人的记忆解决方案将比 corpos 包装的更令人印象深刻。

进入世界上第一个 512Gb(即千兆位,而不是千兆字节)三级单元 (TLC) 4D NAND 闪存——将在 2023 年初的某个时候出现在我们的办公桌前。在公司取得成功之后,SK 海力士的目标是设计有史以来最高的 NAND 堆栈其 176 层 NAND 内存解决方案,早在 2020 年末。

尽管它的前身有 62 层,但该设计仍然设法适应令人印象深刻的最小外形尺寸。事实上,它是我们见过的最小的 NAND 产品,尽管 SK 海力士设法提高了当前标准的功率效率、数据传输速度和全面的生产力。

SK海力士新闻编辑室发布(在新标签中打开)概述了新设计的整体生产力比上一代的 176 层模型提高了 34%,并且数据传输速度比之前的 1.6Gbps 提高了 50%,达到每秒 2.4Gb。它还有望在明年推出 1Tb 版本——即在单个微型芯片上提供 128GB 的​​强大存储空间。

与上一代的飞跃相比,该公司取得了一些稳定的进步,其176 层技术仅吹捧数据传输增加了 33%(在新标签中打开)速度超过其 128 层技术。

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