据 Blocks and Files 报道，X-NAND 闪存制造商声称通过支持并行数据写入，使其第二代芯片的存储性能翻了一番。在这种方法中，更实惠且容量更大的 QLC 闪存可以通过 X-NAND 提供 SLC 级别的性能。
各代闪存都可以使用 Neo Semiconductor 的 X-NAND 架构，它将 3D 矩阵的每个平面划分为 4 到 16 个子平面，这些子平面都可以同时访问，同时使用页面缓冲区来最大限度地提高速度。这一概念在第 2 代 X-NAND(在新选项卡中打开)(PDF)中被压缩，它使用一个平面写入另一个平面，而不是之前的三个平面写入第四个平面。
这是对事物如何加速的直接解释。延迟方面的改进也存在，但尚未公开有关它们的信息。Neo Semiconductor 创始人兼首席执行官 Andy Hsu 在获奖后发表讲话时表示：“该奖项表彰了我们为向 NAND 市场引入具有广泛功能的真正创新技术所做的努力，以解决 IT 系统和消费者日益增长的性能瓶颈。产品。X-NAND Gen-2 的吞吐量是 X-NAND Gen1 的两倍，使客户能够以更大容量和更低成本的 QLC 内存实现类似 SLC 的性能。X-NAND Gen2 融合了零影响的架构和设计变更，不会增加制造成本，同时提供非凡的吞吐量和延迟改进。”
在今年 8 月 2 日至 4 日在加利福尼亚州圣克拉拉举行的闪存峰会上，Gen 2 技术赢得了最佳展示奖(在新标签中打开)。Neo 声称新技术不会增加制造成本或模具尺寸，并且与现有制造工艺兼容。