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iPhone 16 可能会改用密度更高但速度更慢的闪存

导读 苹果可能会改变其更高容量iPhone 16机型中使用的闪存类型,据报道正在考虑采用更度但速度可能较慢的四级单元 NAND。苹果和其他智能手机制

苹果可能会改变其更高容量iPhone 16机型中使用的闪存类型,据报道正在考虑采用更度但速度可能较慢的四级单元 NAND。

苹果和其他智能手机制造商已逐渐增加其产品的存储量,但这样做会增加硬件成本。现在,苹果似乎正在考虑使用更便宜的内存选项。

据DigiTimes行业消息人士透露,这一变化可能会让苹果公司从使用单元 (TLC) NAND 闪存进行存储,转而使用四级单元 (QLC) NAND 闪存来存储容量为 1TB 或以上的型号。。

QLC 相对于 TLC 的优势在于它可以在每个内存单元存储四位数据,而不是三位。这使得 QLC NAND 闪存在使用相同数量的单元时可以比 TLC 存储更多的内容,或者使用更少的单元来比较容量。从理论上讲,这可以降低生产成本。

QLC 与 TLC 对于 iPhone 的可用性来说可能根本不重要

然而,QLC 却做出了一些牺牲。QLC NAND 闪存被认为不如 TLC 可靠,写入数据的耐用性降低,因为每个单元多包含一位,因此每个单元的写入次数较多。

这是通过使用它可以存储的 16 种不同电荷水平来实现的,而 TLC 则使用 8 种电荷水平。通过在读取数据时具有更多的电荷水平和减少裕度,这确实会由于噪声增加而导致位错误增加的可能性。

如果苹果确实继续实施该计划,最终将意味着拥有 1TB 存储空间的 iPhone 16 用户可能会遇到比低容量存储空间更慢的数据写入速度。反过来,这可能会降低具有高性能需求的用户的某些性能要素。

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