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三星3nm GAAFET最早将于2022年6月开始量产

导读 据说三星在向高通或AMD等潜在客户提供基于3nm架构的新芯片方面一直落后于台积电。然而,根据最新的传言,情况可能正好相反,因为这家韩国庞...

据说三星在向高通或AMD等潜在客户提供基于3nm架构的新芯片方面一直落后于台积电。然而,根据最新的传言,情况可能正好相反,因为这家韩国庞然大物最早可能在下周(2022 年 6 月 27 日至 7 月 3 日)正式启动必要的生产节点。

据报道,三星电子部门副总裁李在镕已与芯片制造设备公司 ASML接洽,试图在使用这家荷兰公司的极紫外光扩大 3nm 晶圆生产规模之前加强与该潜在关键合作伙伴的联系。EUV) 光刻技术达到量产能力。

此外,据报道,在美国总统 2022 年 5 月正式访问韩国期间,三星向乔·拜登展示了 3nm 演示。据报道,该公司打算制造基于MBCFET结构的下一代芯片(可能构成传闻中的 AppleM2 Pro和Ryzen 8000系列等处理器的基础)。

“多桥通道场效应晶体管”是三星对GAAFET的专利技术,改进了更传统的FinFET,因为每个晶体管的硅通道(或通道,如较新的例子)都被栅电极材料包围4面。

这(至少根据三星的说法)允许工作电压逐代降低,从而导致功率效率和半导体性能的成比例提高。在 MBCFET 的情况下,由于革命性的纳米片(与纳米线相反)生产工艺,栅极材料内的通道也可以变得更宽。

这应该(理论上)允许更多的通道表面积与栅极接触,从而增加对电流的暴露。另一方面,台积电计划在其 3nm 芯片上坚持使用 FinFET。

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