据说三星在向高通或AMD等潜在客户提供基于3nm架构的新芯片方面一直落后于台积电。然而，根据最新的传言，情况可能正好相反，因为这家韩国庞然大物最早可能在下周(2022 年 6 月 27 日至 7 月 3 日)正式启动必要的生产节点。
据报道，三星电子部门副总裁李在镕已与芯片制造设备公司 ASML接洽，试图在使用这家荷兰公司的极紫外光扩大 3nm 晶圆生产规模之前加强与该潜在关键合作伙伴的联系。EUV) 光刻技术达到量产能力。
此外，据报道，在美国总统 2022 年 5 月正式访问韩国期间，三星向乔·拜登展示了 3nm 演示。据报道，该公司打算制造基于MBCFET结构的下一代芯片(可能构成传闻中的 AppleM2 Pro和Ryzen 8000系列等处理器的基础)。
“多桥通道场效应晶体管”是三星对GAAFET的专利技术，改进了更传统的FinFET，因为每个晶体管的硅通道(或通道，如较新的例子)都被栅电极材料包围4面。
这(至少根据三星的说法)允许工作电压逐代降低，从而导致功率效率和半导体性能的成比例提高。在 MBCFET 的情况下，由于革命性的纳米片(与纳米线相反)生产工艺，栅极材料内的通道也可以变得更宽。
这应该(理论上)允许更多的通道表面积与栅极接触，从而增加对电流的暴露。另一方面，台积电计划在其 3nm 芯片上坚持使用 FinFET。