航天合格系统的设计人员非常需要减少系统的开发时间、成本和风险。Microchip Technology 提出了从商用现货 (COTS) 器件开始的概念，然后用符合太空要求的耐辐射 (RT) 等效器件替换它们。
Microchip 已针对这些应用扩展了其基于 COTS 的 RT SuperFlash 选项系列，并将 Microchip 存储器技术的 50 千拉德 (krad) 总电离剂量 (TID) 容差引入 64-Mbit 串行四通道 I/O NOR 闪存器件，在恶劣的航空航天和国防系统环境中使用。
“SST26LF064RT SuperFlash 器件为 64-Mbit 串行四路 I/O 存储器解决方案带来了市场上最好的 TID 性能，可与任何基于 SRAM 的 FPGA 在各种空间应用中协同工作，”航空航天和国防副总裁 Bob Vampola 说在微芯片。“它非常适合用于低地球轨道 (LEO) 空间星座和其他恶劣辐射环境中的系统，在这些环境中，需要配套闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流。”
与传统的叠栅闪存相比，Microchip SuperFlash NOR 闪存产品使用专有的分裂栅单元架构来提高性能、数据保留和可靠性。它们消除了电源管理切换的复杂性，以实现其行业高 TID，即使闪存仍处于偏置状态并在诸如卫星车载计算机和用于电机、传感器、太阳能电池板和配电的不同类型控制器等系统中运行。
Microchip 的 RT SuperFlash 技术已在工业应用中得到验证，已作为并行接口解决方案提供，其 64-Mbit SST38LF6401RT 器件现已符合太空要求，并可在飞行中使用。借助 SST26LF064RT 产品，设计人员现在还拥有串行四通道 I/O 64Mbit 存储器选项。
应用笔记解释了如何将串行 64-Mbit SuperFlash 器件与 Microchip 的 SST26LF064RT RT 闪存参考评估板和空间合格的基于 SRAM 的 FPGA 结合使用。与 Microchip 的并行 SuperFlash 存储器一样，串行 SuperFlash 选件也可用作 FPGA 和其他 Microchip 解决方案的配置存储器，例如基于 Arm Cortex-M7 的 SAMRH707 抗辐射微控制器 (MCU)。它还可以与 RT PolarFire FPGA 一起使用，以支持飞行中的系统重新配置。
Microchip 的 RT SST26LF064RT SuperFlash 存储器产品陶瓷样品现已开始销售。此外，SST38LF6401RT(平行)陶瓷和塑料合格飞行模型可供销售。RT FPGA(RTG4 和 RT Polarfire)、Rad Hard 微处理器 SAMRH71 和 Rad Hard 微控制器 SAMRH707 对这些器件进行了补充。
Microchip 从其经过验证的汽车或工业合格产品系列中选择相关器件，并增加硅工艺改进，使其更能抵抗太空重离子环境中的单事件闩锁。这些稍作修改的设备的辐射性能由每个功能块的专用辐射报告充分表征和支持。设计人员从易于采购的 COTS 器件开始系统实施，然后在 PCB 阶段用这些引脚兼容、空间合格的等效器件替换它们。